IGT60R190D1SATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

GaN

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-HSOF-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

3.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

55.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

CoolGaN

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Parte # Alias:

SP001701702

Tags

IGT60, IGT6, IGT