DMN63D8LW-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

380 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

0.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

420 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN63

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tempo di caduta:

16.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.3 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN