IRLMS1902TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

170 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

4.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.7 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.45 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

3.2 S

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

SP001558856

Unità di peso:

0.001270 oz

Tags

IRLMS19, IRLMS1, IRLMS, IRLM, IRL