SCTH90N65G2V-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H2PAK-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

26 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V to 22 V

Qg - Carica cancello:

157 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

330 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SCTH90N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

38 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

58 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Tags

SCTH, SCT