IRF3205ZLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

76 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

71 S

Tempo di caduta:

67 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

95 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Parte # Alias:

SP001564660

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

IRF3205Z, IRF3205, IRF320, IRF32, IRF3, IRF