BSZ060NE2LSATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TSDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

26 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

34 S

Tempo di caduta:

1.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.5 ns

Parte # Alias:

BSZ060NE2LS BSZ6NE2LSXT SP000776122

Unità di peso:

0.001245 oz

Tags

BSZ060, BSZ06, BSZ0, BSZ