IRF7307TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.2 A, 4.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

20 nC, 22 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

8.3 S, 4 S

Tempo di caduta:

51 ns, 33 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns, 26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns, 51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 8.4 ns

Parte # Alias:

SP001574744

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

IRF7307T, IRF7307, IRF730, IRF73, IRF7, IRF