SI4101DY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

25.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

203 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI4

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

72 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI4101, Si410, SI41, SI4