SIZ346DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-3x3-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

17 A, 30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V, 2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 16 V, 20 V

Qg - Carica cancello:

6.6 nC, 10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

16 W, 16.7 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

17 S

Tempo di caduta:

7 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 40 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns, 17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 8 ns

Tags

SIZ34, SiZ3, SiZ