DMHC10H170SFJ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

V-DFN5045-12

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.9 A, 2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

111 mOhms, 191 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.7 nC, 17.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMHC10H

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

12.8 ns, 34.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.1 ns, 14.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42.6 ns, 57.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.5 ns, 9.1 ns

Tags

DMHC, DMH