BC856W,135

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 250 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

475 at - 2 mA, - 5 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

125

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

/T3 BC856W

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BC856W, BC856, BC85, BC8