RW1E015RPT2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

270 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.65 mm

Lunghezza:

1.7 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

RW1E015RP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

1.2 S

Tempo di caduta:

13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

RW1E015RP

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

RW1E015, RW1E01, RW1E0, RW1E, RW1