IRF7350PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

19 nC, 21 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

2.4 S, 1.1 S

Tempo di caduta:

20 ns, 40 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns, 13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4085

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.7 ns, 25 ns

Parte # Alias:

SP001554224

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

IRF7350, IRF735, IRF73, IRF7, IRF