TPN4R712MD,L1Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSON Advance-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

65 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Serie:

TPN4R712MD

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.1 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

145 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

443 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

TPN4R712M, TPN4R7, TPN4, TPN