IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2
Mfr. #:
IXFN38N80Q2
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXFN38N80Q2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
Modulo
Serie
IXFN38N80
Confezione
Tubo
Unità di peso
1.340411 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
HyperFET
Pacchetto-Custodia
SOT-227-4
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
735 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
12 ns
Ora di alzarsi
16 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
30 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
38 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
800 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
220 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
60 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
20 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 800V 38A 4-Pin SOT-227B
***el Nordic
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Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXFN38N80Q2
DISTI # IXFN38N80Q2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$34.2250
IXFN38N80Q2
DISTI # 747-IXFN38N80Q2
IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$34.2300
  • 30:$31.4500
  • 50:$30.1100
  • 100:$29.2300
  • 200:$26.8200
Immagine Parte # Descrizione
IXFN360N15T2

Mfr.#: IXFN360N15T2

OMO.#: OMO-IXFN360N15T2

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60

MOSFET 600V 36A
IXFN36-100

Mfr.#: IXFN36-100

OMO.#: OMO-IXFN36-100-1190

Nuovo e originale
IXFN360N15T2

Mfr.#: IXFN360N15T2

OMO.#: OMO-IXFN360N15T2-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN32N100P

Mfr.#: IXFN32N100P

OMO.#: OMO-IXFN32N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
IXFN38N100Q2

Mfr.#: IXFN38N100Q2

OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
IXFN34N100

Mfr.#: IXFN34N100

OMO.#: OMO-IXFN34N100-IXYS-CORPORATION

MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds
IXFN32N60

Mfr.#: IXFN32N60

OMO.#: OMO-IXFN32N60-IXYS-CORPORATION

MOSFET 32 Amps 600V
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
IXFN36N100

Mfr.#: IXFN36N100

OMO.#: OMO-IXFN36N100-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4000
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
40,23 USD
40,23 USD
10
38,22 USD
382,18 USD
100
36,21 USD
3 620,70 USD
500
34,20 USD
17 097,75 USD
1000
32,18 USD
32 184,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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