IXFN36N100

IXFN36N100
Mfr. #:
IXFN36N100
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 1KV 36A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXFN36N100 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
Modulo
Serie
IXFN36N100
Confezione
Tubo
Unità di peso
1.340411 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
HyperFET
Pacchetto-Custodia
SOT-227-4
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Singola doppia sorgente
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
700 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
30 ns
Ora di alzarsi
55 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
36 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
240 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
110 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
41 ns
Transconduttanza diretta-Min
40 S
Modalità canale
Aumento
Tags
IXFN36N, IXFN36, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 1000 Vds 240 mOhm 700 W Power Mosfet - SOT-227B
***trelec
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-227B Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 700 W
***ark
Mosfet, N, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:1Kv; Continuous Drain Current Id:36A; On Resistance Rds(On):0.24Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXFN36N100
DISTI # IXFN36N100-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
425In Stock
  • 100:$43.6650
  • 30:$46.5760
  • 10:$50.3600
  • 1:$53.8500
IXFN36N100
DISTI # 14J1688
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:36A,Drain Source Voltage Vds:1kV,On Resistance Rds(on):0.24ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:5V,Power Dissipation Pd:700W RoHS Compliant: Yes19
  • 100:$43.6600
  • 50:$45.2000
  • 25:$46.5800
  • 10:$50.3600
  • 5:$51.9600
  • 1:$53.8500
IXFN36N100IXYS CorporationSingle N-Channel 1000 Vds 240 mOhm 700 W Power Mosfet - SOT-227B
RoHS: Compliant
3Tube
  • 1:$42.8100
  • 2:$40.8500
  • 5:$38.4000
  • 10:$36.6500
  • 25:$34.4500
IXFN36N100
DISTI # 747-IXFN36N100
IXYS CorporationMOSFET 1KV 36A
RoHS: Compliant
0
  • 1:$53.8500
  • 5:$51.9600
  • 10:$50.3600
  • 25:$46.5800
  • 50:$45.2000
  • 100:$43.6600
IXFN36N100
DISTI # 193795
IXYS CorporationMOSFET N-CHANNEL 1KV 36A SOT227B, EA174
  • 50:£31.7700
  • 20:£32.4200
  • 10:£33.5900
  • 5:£35.1500
  • 1:£39.0600
IXFN36N100
DISTI # 4905556
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
19
  • 100:$69.1000
  • 30:$73.7000
  • 10:$79.6900
  • 1:$85.2100
IXFN36N100
DISTI # 4905556
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
19
  • 50:£32.3300
  • 10:£36.9600
  • 5:£41.2400
  • 1:£42.7300
IXFN36N100
DISTI # XSFP00000002803
IXYS Corporation 
RoHS: Compliant
30 in Stock0 on Order
  • 30:$54.1500
  • 10:$66.6500
Immagine Parte # Descrizione
IXFN38N100P

Mfr.#: IXFN38N100P

OMO.#: OMO-IXFN38N100P

MOSFET 38 Amps 1000V
IXFN360N10T

Mfr.#: IXFN360N10T

OMO.#: OMO-IXFN360N10T

MOSFET 360 Amps 100V
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P

MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
IXFN320N17T2

Mfr.#: IXFN320N17T2

OMO.#: OMO-IXFN320N17T2

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN300N10P

Mfr.#: IXFN300N10P

OMO.#: OMO-IXFN300N10P

MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN34N80

Mfr.#: IXFN34N80

OMO.#: OMO-IXFN34N80

MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds
IXFN32N100P

Mfr.#: IXFN32N100P

OMO.#: OMO-IXFN32N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
IXFN30N110P

Mfr.#: IXFN30N110P

OMO.#: OMO-IXFN30N110P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
IXFN36N60

Mfr.#: IXFN36N60

OMO.#: OMO-IXFN36N60-IXYS-CORPORATION

MOSFET 600V 36A
IXFN32N80P

Mfr.#: IXFN32N80P

OMO.#: OMO-IXFN32N80P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4000
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
60,28 USD
60,28 USD
10
57,27 USD
572,71 USD
100
54,26 USD
5 425,65 USD
500
51,24 USD
25 621,15 USD
1000
48,23 USD
48 228,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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