2N6729

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

500 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6729

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80 at 50 mA, 1 V

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N672, 2N67, 2N6