F3L75R12W1H3_B27

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

3-Phase

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.45 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

45 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

275 W

Pacchetto/custodia:

EasyPack1B

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Morsetto

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132

Unità di peso:

0.846575 oz

Tags

F3L75R1, F3L75R, F3L7, F3L