APT34N80B2C3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

T-MAX-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

34 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

145 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

417 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Tags

APT34N80B, APT34N, APT34, APT3, APT