DPLS325E-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

25 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DPLS325

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

DPLS32, DPLS3, DPLS, DPL