DNLS160-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

250 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

270 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DNLS160

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DNLS1, DNLS, DNL