IRG7PSH50UDPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-274AA-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

116 A

Pd - Dissipazione di potenza:

462 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

116 A

Marca:

Infineon / IR

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 200 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001532744

Tags

IRG7PSH5, IRG7PS, IRG7P, IRG7, IRG