DMS3015SSS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.55 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

DIOFET

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMS30

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

13.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

29.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15.8 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMS3015, DMS301, DMS30, DMS3, DMS