ZXTN26020DMFTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN1411-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

290 mV

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

260 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN260

Guadagno di corrente CC hFE Max:

1000 at 100 mA, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 100 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTN26, ZXTN2, ZXTN, ZXT