STW33N60DM2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

24 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

130 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

43 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

190 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

MDmesh

Serie:

STW33N60DM2

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STW33N6, STW33, STW3, STW