HP8MA2TB1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A, 15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.6 mOhms, 17.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

22 nC, 25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

7 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

14 ns, 60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns, 14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46 ns, 73 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns, 9.4 ns

Parte # Alias:

HP8MA2

Tags

HP8M, HP8