QPD2730

QPD2730
Mfr. #:
QPD2730
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
QPD2730 Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
QPD2730 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
16 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
48 V
Id - Corrente di scarico continua:
210 mA
Potenza di uscita:
36 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
55 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
18.6 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
NI780-4
Confezione:
Cialda
Configurazione:
Dual
Frequenza operativa:
2.575 GHz to 2.635 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
25
sottocategoria:
transistor
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.7 V, - 4.75 V
Parte # Alias:
1131813
Tags
QPD273, QPD27, QPD2, QPD
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Transistor, Power, 2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V, GaN, N-780 Ceramic Pkg
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
QPD2730
DISTI # 772-QPD2730
QorvoRF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
RoHS: Compliant
26
  • 1:$165.5500
  • 25:$144.4800
Immagine Parte # Descrizione
QPD1008L

Mfr.#: QPD1008L

OMO.#: OMO-QPD1008L

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD2796

Mfr.#: QPD2796

OMO.#: OMO-QPD2796

RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD2195SR

Mfr.#: QPD2195SR

OMO.#: OMO-QPD2195SR

RF JFET Transistors 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPDD740001401

Mfr.#: QPDD740001401

OMO.#: OMO-QPDD740001401-1190

Nuovo e originale
QPDS-9922-200

Mfr.#: QPDS-9922-200

OMO.#: OMO-QPDS-9922-200-1190

Nuovo e originale
QPDS-T905

Mfr.#: QPDS-T905

OMO.#: OMO-QPDS-T905-1190

Nuovo e originale
QPDS-T907

Mfr.#: QPDS-T907

OMO.#: OMO-QPDS-T907-1190

Nuovo e originale
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
Disponibilità
Azione:
26
Su ordine:
2009
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
165,55 USD
165,55 USD
25
144,48 USD
3 612,00 USD
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