QPD1008L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

17.5 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

145 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Potenza di uscita:

162 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 85 C

Pd - Dissipazione di potenza:

127 W

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

NI-360

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

3.2 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 85 C

Serie:

QPD

Marca:

Qorvo

Kit di sviluppo:

QPD1008LPCB401

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 2.8 V

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD