NE3515S02-A

NE3515S02-A
Mfr. #:
NE3515S02-A
Produttore:
CEL
Descrizione:
RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NE3515S02-A Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3515S02-A DatasheetNE3515S02-A Datasheet (P4-P6)NE3515S02-A Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
CEL
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
pHEMT
Tecnologia:
GaAs
Guadagno:
12.5 dB
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
4 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 3 V
Id - Corrente di scarico continua:
88 mA
Temperatura massima di esercizio:
+ 125 C
Pd - Dissipazione di potenza:
165 mW
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
S0-2
Confezione:
Tagliare il nastro
Frequenza operativa:
12 GHz
Prodotto:
RF JFET
Tipo:
GaAs pHEMT
Marca:
CEL
Transconduttanza diretta - Min:
70 mS
NF - Figura di rumore:
0.3 dB
P1dB - Punto di compressione:
14 dBm
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
1
sottocategoria:
transistor
Tags
NE3515, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans FET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S-02
***et
Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NE3515S02-A
DISTI # NE3515S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3515S02-A
    DISTI # 551-NE3515S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
    RoHS: Compliant
    0
      Immagine Parte # Descrizione
      NE3510M04-A

      Mfr.#: NE3510M04-A

      OMO.#: OMO-NE3510M04-A

      RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
      NE3511S02A

      Mfr.#: NE3511S02A

      OMO.#: OMO-NE3511S02A-1190

      Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3511S02A)
      NE3512S02-T1D-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3511S02-A

      Mfr.#: NE3511S02-A

      OMO.#: OMO-NE3511S02-A-CEL

      RF JFET Transistors X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3512S02-T1C

      Mfr.#: NE3512S02-T1C

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

      Nuovo e originale
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Nuovo e originale
      NE3514S02-T10

      Mfr.#: NE3514S02-T10

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T10-1190

      Nuovo e originale
      NE3514S02-T1D

      Mfr.#: NE3514S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1D-1190

      Nuovo e originale
      NE3517S03-T1C

      Mfr.#: NE3517S03-T1C

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-1190

      Nuovo e originale
      NE3517S03-T1C-A

      Mfr.#: NE3517S03-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-A-CEL

      Trans JFET N-CH 4V 70mA GaAs HJFET 4-Pin Case S-03 T/R
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