SIHFS9N60A-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.2 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

49 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SIHFS

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5.5 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

SIHFS, SIHF, SIH