STD7N65M6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

990 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

12.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.5 ns

Tags

STD7N65, STD7N6, STD7N, STD7, STD