IRGS4620DTRRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.97 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

32 A

Pd - Dissipazione di potenza:

140 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

20 A

Altezza:

4.57 mm

Lunghezza:

10.31 mm

Larghezza:

9.45 mm

Marca:

Infineon / IR

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001535912

Unità di peso:

0.009185 oz

Tags

IRGS462, IRGS46, IRGS4, IRGS, IRG