2N5367

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

300 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

75 at 300 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5367 PBFREE

Unità di peso:

0.007266 oz

Tags

2N536, 2N53, 2N5