2N5172

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

25 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.25 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5172

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

0.45 A

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5172 PBFREE

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2N5172, 2N517, 2N51, 2N5