IPB100N04S2L03ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

230 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

XPB100N04

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

51 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

77 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Parte # Alias:

IPB100N04S2L-03 IPB100N04S2L03XT SP000219065

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

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