IPB100N04S4-H2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

90 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

115 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

OptiMOS-T2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Parte # Alias:

IPB100N04S4H2ATMA1 IPB1N4S4H2XT SP000711274

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

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