SIE850DF-T1-GE3

SIE850DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE850DF-T1-GE3
Produttore:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIE850DF-T1-GE3 Scheda dati
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SIE850DF-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Vishay
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
E
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
PolarPAK-10
Nome depositato:
TrenchFET, PolarPAK
Confezione:
Bobina
Altezza:
0.8 mm
Lunghezza:
6.15 mm
Serie:
SIE
Larghezza:
5.16 mm
Marca:
Vishay / Siliconix
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
MOSFET
Parte # Alias:
SIE850DF-GE3
Tags
SIE85, SIE8, SIE
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N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIE850DF-T1-GE3
DISTI # 781-SIE850DF-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7500
Immagine Parte # Descrizione
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
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