IXFZ140N25T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DE-475-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

255 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

445 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

3.18 mm

Lunghezza:

23.11 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

18.8 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

80 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29 ns

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

92 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

33 ns

Unità di peso:

0.105822 oz

Tags

IXFZ, IXF