2N7002AQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

540 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

2N7002AQ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

2N7002A, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7