ZXMN3B01FTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

2.93 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.02 mm

Lunghezza:

3.04 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ZXMN3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

4 S

Tempo di caduta:

3.98 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.98 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.69 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

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