ZXMC4559DN8TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.6 A, 2.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms, 125 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20.4 nC, 12.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ZXMC4

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

10.2 S, 7.2 S

Tempo di caduta:

10.6 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.1 ns, 4.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.2 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns, 3.5 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMC4559DN8, ZXMC4559D, ZXMC45, ZXMC4, ZXMC, ZXM