DMNH4015SSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

33 nC, 33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

5.7 ns, 5.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.5 ns, 10.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.3 ns, 12.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns, 4.4 ns

Tags

DMNH401, DMNH40, DMNH4, DMNH, DMN