MHT1008NT1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

154 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 65 V

Guadagno:

18.6 dB

Potenza di uscita:

12.5 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PLD-1.5W

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

2.45 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Numero di canali:

1 Channel

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

48.1 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Parte # Alias:

935320685515

Unità di peso:

0.009877 oz

Tags

MHT10, MHT1, MHT