IPT059N15N3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-HSOF-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

155 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

69 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

10.58 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

10.1 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

86 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Parte # Alias:

IPT059N15N3ATMA1 SP001100162

Tags

IPT05, IPT0, IPT