DMHC3025LSDQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A, 4.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms, 50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

11.7 nC, 11.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMHC3025

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.7 ns, 13.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 4.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.5 ns, 28.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.2 ns, 7.5 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMHC3, DMHC, DMH