FZT855TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

250 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

355 mV

Corrente massima del collettore CC:

10 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

90 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT855

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15 at 5 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FZT855T, FZT855, FZT85, FZT8, FZT