FDMS3616S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A, 18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

19 nC, 31 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.3 W, 1 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

63 S, 84 S

Tempo di caduta:

1.4 ns, 2.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.7 nS, 3 nS

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 nS, 24 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.7 nS, 9.5 nS

Unità di peso:

0.003175 oz

Tags

FDMS361, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM