FDMS86163P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

42 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

104 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS86163P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

29 S

Tempo di caduta:

6.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.002402 oz

Tags

FDMS861, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM