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TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ
Mfr. #:
TK31J60W,S1VQ
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TK31J60W,S1VQ Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK31J60W,S1VQ DatasheetTK31J60W,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK31J60W,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK31J60W,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TK31J60W,S1VQ maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-3PN-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
600 V
Id - Corrente di scarico continua:
30.8 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
88 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
10 V
Qg - Carica cancello:
105 nC
Pd - Dissipazione di potenza:
230 W
Configurazione:
Separare
Nome depositato:
DTMOSIV
Altezza:
20 mm
Lunghezza:
15.5 mm
Serie:
TK31J60W
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.5 mm
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Quantità confezione di fabbrica:
25
sottocategoria:
MOSFET
Unità di peso:
0.245577 oz
Tags
TK31J60W,S, TK31J, TK31, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-3Pn(Os) Moq=50 Pd=230W F=1Mhz
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
***et
DTMOSIV_600V_88MOHM MAX(VGS=10V)_TO-3P(N)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TK31J60W,S1VQ
DISTI # V99:2348_13896269		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube25
  • 2500:$4.3030
  • 1000:$4.4470
  • 500:$4.9850
  • 250:$5.4040
  • 100:$5.8070
  • 25:$6.3230
  • 10:$6.8150
  • 1:$7.4270
TK31J60W,S1VQ
DISTI # TK31J60WS1VQ-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		23In Stock
  • 500:$5.7629
  • 100:$6.8783
  • 25:$7.6220
  • 1:$9.3000
TK31J60W,S1VQ
DISTI # 30524811		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube25
  • 25:$6.3120
  • 10:$6.8030
  • 2:$7.4120
TK31J60WS1VQ
DISTI # TK31J60W,S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N 600V 30.8A 3-Pin SC-65 Tube - Rail/Tube (Alt: TK31J60W,S1VQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Americas - 0
  • 25:$5.1900
  • 50:$4.8900
  • 100:$4.6900
  • 150:$4.3900
  • 250:$4.2900
TK31J60W,S1VQ
DISTI # 757-TK31J60WS1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
RoHS: Compliant		23
  • 1:$8.4500
  • 10:$7.6100
  • 25:$6.9300
  • 100:$6.2600
  • 250:$5.7500
  • 500:$5.2400
  • 1000:$4.5700
TK31J60WS1VQ(OToshiba America Electronic Components 50
    TK31J60W,S1VQ(O)
    DISTI # C1S751201082507    		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs55
    • 50:$11.9000
    • 10:$14.2000
    • 5:$14.9000
    TK31J60W,S1VQ
    DISTI # C1S751200875760    		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs
    RoHS: Compliant    		25
    • 25:$6.3120
    • 10:$6.8030
    • 1:$7.4120
    TK31J60W,S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
    RoHS: Compliant    		Americas -
      TK31J60WS1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Immagine Parte # Descrizione
        FCB199N65S3

        Mfr.#: FCB199N65S3

        OMO.#: OMO-FCB199N65S3

        		 MOSFET SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
        FCP190N60E

        Mfr.#: FCP190N60E

        OMO.#: OMO-FCP190N60E

        		 MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
        FCD360N65S3R0

        Mfr.#: FCD360N65S3R0

        OMO.#: OMO-FCD360N65S3R0

        		 MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
        FCP190N60E

        Mfr.#: FCP190N60E

        OMO.#: OMO-FCP190N60E-ON-SEMICONDUCTOR

        		 MOSFET N-CH 600V TO220-3
        FCB199N65S3

        Mfr.#: FCB199N65S3

        OMO.#: OMO-FCB199N65S3-ON-SEMICONDUCTOR

        		 MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
        FCD360N65S3R0

        Mfr.#: FCD360N65S3R0

        OMO.#: OMO-FCD360N65S3R0-ON-SEMICONDUCTOR

        		 SUPERFET3 650V DPAK
        Disponibilità
        Azione:
        18
        Su ordine:
        2001
        Inserisci la quantità:
        Il prezzo attuale di TK31J60W,S1VQ è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
        Prezzo di riferimento (USD)
        Quantità
        Prezzo unitario
        est. Prezzo
        1
        8,45 USD
        8,45 USD
        10
        7,61 USD
        76,10 USD
        25
        6,93 USD
        173,25 USD
        100
        6,26 USD
        626,00 USD
        250
        5,75 USD
        1 437,50 USD
        500
        5,24 USD
        2 620,00 USD
        1000
        4,57 USD
        4 570,00 USD
        2500
        4,40 USD
        11 000,00 USD
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