ZXMHC3F381N8TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.98 A, 4.13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9 nC, 12.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.87 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ZXMHC3

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Tipo:

H-Ponte

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

11.8 S, 14 S

Tempo di caduta:

6.3 ns, 21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.3 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11.5 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.5 ns, 1.9 ns

Unità di peso:

0.009171 oz

Tags

ZXMHC3F, ZXMHC3, ZXMHC, ZXMH, ZXM